[发明专利]一种具有多晶硅岛的金属氧化物半导体二极管在审
| 申请号： | 201810970628.2 | 申请日： | 2018-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN109119488A | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;杨梦琦;蒲小庆;任敏;张金平;高巍;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明设计功率半导体技术，特别涉及一种金属氧化物半导体二极管。本发明的有益效果为：在原专利提出的新型半导体二极管的基础上，在纵向方向添加了三个或三个以上的多晶硅岛，多晶硅岛中存储有负电荷，器件反向阻断时，高电位的N型区与多晶硅岛内的负电荷产生横向电场，辅助耗尽漂移区，使得横向电场分布更加均匀，纵向电场更加接近矩形分布，提高金属氧化物半导体二极管的反向耐压。 | ||
| 搜索关键词： | 金属氧化物半导体二极管 多晶硅岛 横向电场 负电荷 功率半导体技术 半导体二极管 反向耐压 反向阻断 矩形分布 纵向电场 多晶硅 高电位 漂移区 耗尽 存储 | ||
【主权项】：
1.一种具有多晶硅岛的金属氧化物半导体二极管，包括从下至上依次层叠设置的阴极电极(1)、N+衬底(2)、N型漂移区(3)、N‑掺杂区(4)以及阳极电极(9)；所述阳极电极(9)的两端垂直向下延伸入N‑掺杂区(4)中，N‑掺杂区(4)与阳极电极(9)向下延伸的部分之间具有N型重掺杂区(5)；两侧的N型重掺杂区(5)之间的N‑掺杂区(4)上表面具有平面栅结构，所述平面栅结构位于阳极电极(9)中，所述平面栅结构包括栅氧化层(10)和位于栅氧化层(10)上表面的多晶硅栅电极(11)，栅氧化层(10)下表面与部分N型重掺杂区(5)上表面接触；所述阳极电极(9)向下延伸部分的下方具有相互并列设置的沟槽(8)和P型重掺杂区(6)，且P型重掺杂区(6)的部分上表面与N型重掺杂区(5)接触；所述沟槽(8)沿垂直方向延伸入N型漂移区(3)中，所述P型重掺杂区(6)的下表面与N型漂移区(3)上表面之间具有P型埋层(7)，且P型埋层(7)的侧面与沟槽(8)接触，其特征在于：所述沟槽(8)中填充有介质层(13)，所述介质层(13)中具有多个多晶硅岛(12)，所述多个多晶硅岛(12)沿着垂直方向等间距排列，所述多晶硅岛(12)中存储有负电荷，且负电荷沿着阳极电极(9)到阴极电极(1)的方向逐渐增加。
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