[发明专利]一种砷化镓的干法蚀刻工艺及其应用在审
| 申请号： | 201810959093.9 | 申请日： | 2018-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN109216183A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 罗玉辉;程元红;邝智豪;黄逸生 | 申请（专利权）人： | 深亮智能技术（中山）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/308;H01S5/183 |
| 代理公司： | 广州市越秀区海心联合专利代理事务所(普通合伙) 44295 | 代理人： | 王洪娟;马赟斋 |
| 地址： | 528400 广东省中山市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种砷化镓的干法蚀刻工艺及其应用。具体地，所述工艺是在砷化镓片表面淀积SiO2薄膜层，然后光刻并腐蚀出SiO2掩模层；使用感应耦合等离子体蚀刻技术在SiO2掩模层的掩蔽下对砷化镓进行蚀刻，蚀刻气体为是氯气和三氯化硼。本发明不产生侧向蚀刻，蚀刻出来的砷化镓侧壁和底面比较光滑。 | ||
| 搜索关键词： | 砷化镓 蚀刻 干法蚀刻工艺 感应耦合等离子体 掩蔽 氯气 表面淀积 侧向蚀刻 三氯化硼 砷化镓片 蚀刻气体 侧壁 底面 光刻 光滑 应用 腐蚀 | ||
【主权项】：
1.一种砷化镓的干法蚀刻工艺，其特征是，在砷化镓片表面淀积SiO2薄膜层，然后光刻并腐蚀出SiO2台面掩模层；使用感应耦合等离子体蚀刻技术在SiO2掩模层的掩蔽下对砷化镓进行蚀刻，蚀刻气体为是氯气和三氯化硼。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深亮智能技术（中山）有限公司，未经深亮智能技术（中山）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810959093.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：鳍结构制造方法
- 下一篇：超高电荷密度驻极体及其制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
