[发明专利]一种具有多晶硅岛的LDMOS器件在审
| 申请号： | 201810955274.4 | 申请日： | 2018-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN109065627A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;杨梦琦;王梁浩;蒲小庆;任敏;张金平;高巍;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢;葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种具有多晶硅岛的LDMOS器件，N型漂移区的内部上表面有沟槽，沟槽内填有绝缘介质层，沟槽内有多个多晶硅岛，多晶硅岛沿着水平方向等间距排列，多晶硅岛中存储有负电荷，且负电荷的存储量沿着N型漏极接触区到P型体区的方向逐渐减少；本发明当器件反向阻断时，N型漂移区与多晶硅岛之间有纵向电场，辅助耗尽N型漂移区，在相同的耐压下，N型漂移区可采用更高的掺杂浓度，降低器件的导通电阻；同时由于N型漂移区从右往左电势不断降低，而多晶硅岛中的负电荷量从右往左不断减少，这样就使得N型漂移区的纵向电场分布更加均匀，从而横向电场更加接近矩形分布，提高LDMOS的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶硅岛 负电荷 纵向电场 等间距排列 绝缘介质层 导通电阻 反向阻断 横向电场 击穿电压 降低器件 矩形分布 存储量 上表面 电势 耗尽 耐压 掺杂 存储 | ||
【主权项】：
1.一种具有多晶硅岛的LDMOS器件，其特征在于：包括P型衬底(1)、P型外延层(2)、P型体区(3)、N型漂移区(10)、栅极结构；其中，所述P型外延层(2)位于P型衬底(1)的上表面；所述P型体区(3)和N型漂移区(10)位于P型外延层(2)的内部上表面；所述P型体区(3)和N型漂移区(10)的侧面接触；所述P型体区(3)的内部上表面有重掺杂的P型源极接触区(4)和重掺杂的N型源极接触区(5)；所述P型源极接触区(4)和重掺杂的N型源极接触区(5)的侧面接触；所述P型源极接触区(4)和重掺杂的N型源极接触区(5)的内部上表面有源极接触(6)；所述P型体区(3)的上表面有栅极结构，所述栅极结构包括侧墙(7)和栅氧化层(8)以及多晶硅栅电极(9)；所述栅氧化层(8)与P型体区(3)相接触；所述多晶硅栅电极(9)位于栅氧化层(8)的上表面；所述侧墙(7)分立于栅氧化层(8)和多晶硅栅电极(9)的两侧；所述N型漂移区(10)的内部上表面远离P型体区(3)的一侧有重掺杂的N型漏极接触区(11)；所述N型漏极接触区(11)的内部上表面有漏极接触(12)；所述N型漂移区(10)的内部上表面有沟槽(13)，所述沟槽(13)位于P型体区(3)和N型漏极接触区(11)之间且与N型漏极接触区(11)不接触；所述沟槽(13)内填有绝缘介质层，所述沟槽(13)内有多个多晶硅岛(14)，所述多晶硅岛(14)沿着水平方向等间距排列，所述多晶硅岛(14)中存储有负电荷，且负电荷的存储量沿着N型漏极接触区(11)到P型体区(3)的方向逐渐减少。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810955274.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
