[发明专利]制备高性能MnZn铁氧体的In（Cd，Ga）、Ni、Ti、Co离子联合替代方法

摘要

本发明提供了一种制备高性能MnZn铁氧体的In(Cd，Ga)、Ni、Ti、Co离子联合替代方法。在选定的主成分中，添加包含Ni、Ti、Co一种或多种的副成分；添加包含In、Cd、Ga元素一种或多种的副成分；添加包含Ca、Si元素一种或多种的副成分。通过In、Cd、Ga、Ni、Ti、Co等离子的四元、五元或者六元等多元离子联合替代，利用各离子对主成分的影响以及离子间的相互作用，制备得到的MnZn铁氧体材料在25℃下饱和磁通密度高于530mT，在100℃下高于440mT，适用温度范围＞150℃，在10mT、100℃、3MHz的测试条件下，其功率损耗低于45kWm‑3，在10mT、100℃、5MHz的测试条件下，其功率损耗低于80kWm‑3，初始磁导率高于850，在20～120℃范围内，损耗随温度的变化不超过50％。

主权项

1.一种制备高性能MnZn铁氧体的In(Cd，Ga)、Ni、Ti、Co离子联合替代方法，其特征在于步骤如下：(1)一次配料称取主成分；(2)一次球磨(3)一次烧结将第一次球磨所得的粉料在800～1000℃空气气氛下，保温1～3h，随炉冷却得到一次烧结粉料；(4)二次配料在一次烧结粉料中：添加包含In、Cd、Ga元素一种或多种的副成分；添加包含Ni元素的副成分；添加包含Ti、Co元素的一种或多种的副成分；添加包含Ca、Si元素一种或多种的副成分；(5)二次球磨将二次配料后得到的粉料均匀混合后放入球磨机，球磨至粉料粒径0.5～2μm，得到二次球磨粉料；(6)造粒(7)压制成型(8)二次烧结烧结温度为1000～1300℃，保温2～14h，烧结过程中通过添加氮气使平衡氧分压控制在4％以下，冷却出炉得到MnZn软磁铁氧体材料。