[发明专利]一种可降解的自支撑薄膜晶体管器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201810928903.4 | 申请日： | 2018-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN109360857A | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 刘宁;刘宇;胡军平;张晓航 | 申请（专利权）人： | 南昌工程学院 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 新余市渝星知识产权代理事务所(普通合伙) 36124 | 代理人： | 廖平 |
| 地址： | 330096 江西省南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可降解的自支撑薄膜晶体管器件，主要包括自支撑介电层、半导体有源层、源电极、漏电极和栅电极；其特征在于：可降解的自支撑薄膜晶体管器件采用具有离子导电特性的天然高分子聚合物薄膜作为自支撑介电层，在自支撑介电层上再依次沉积半导体有源层和共平面的源电极、漏电极和栅电极，其中半导体有源层设置在源电极、漏电极之间。本发明的优点是：(1)该薄膜晶体管器件采用具有支撑性能的介电层，无需使用额外衬底，简化了器件的材料结构。(2)天然高分子聚合物薄膜成本低廉，在室温常规环境下具有较好的稳定性。通过控制薄膜成分结构可以调节其在特殊环境中的分解速率，从而实现降解速率可控的薄膜晶体管器件。 | ||
| 搜索关键词： | 介电层 半导体有源层 晶体管器件 自支撑薄膜 可降解 漏电极 源电极 自支撑 天然高分子聚合物 薄膜晶体管器件 栅电极 薄膜 离子导电特性 薄膜成本 材料结构 常规环境 成分结构 支撑性能 共平面 可控的 沉积 衬底 降解 制备 分解 | ||
【主权项】：
1.一种可降解的自支撑薄膜晶体管器件，主要包括自支撑介电层、半导体有源层、源电极、漏电极和栅电极；其特征在于：可降解的自支撑薄膜晶体管器件采用具有离子导电特性的天然高分子聚合物薄膜作为自支撑介电层，在自支撑介电层上再依次沉积半导体有源层和共平面的源电极、漏电极和栅电极，其中半导体有源层设置在源电极、漏电极之间。
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