[发明专利]电阻式存储器元件及其制作方法在审
申请号: | 201810927758.8 | 申请日: | 2018-08-15 |
公开(公告)号: | CN110838542A | 公开(公告)日: | 2020-02-25 |
发明(设计)人: | 王超鸿;李岱萤;蒋光浩;林榆瑄;陈宗铭 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00;H01L27/24 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种电阻式存储器元件及其制作方法,该电阻式存储器元件包括:第一电极层、电阻转态层以及第二电极层。电阻转态层位于第一电极层上,且包括三元过渡金属氧化物。第二电极层,位于该电阻转态层上。 | ||
搜索关键词: | 电阻 存储器 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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