[发明专利]一种多晶PERC电池通过烧结峰值温区前移降低光衰的方法在审
申请号: | 201810914593.0 | 申请日: | 2018-08-13 |
公开(公告)号: | CN108987534A | 公开(公告)日: | 2018-12-11 |
发明(设计)人: | 潘勇;王冲;晁稳;王长春 | 申请(专利权)人: | 通威太阳能(合肥)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/068 |
代理公司: | 昆明合众智信知识产权事务所 53113 | 代理人: | 杨俊达 |
地址: | 230088 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种多晶PERC电池通过烧结峰值温区前移降低光衰的方法,调整工艺参数,将烧结炉中烧结区的峰值温区向前移动一个温区,使得峰值温区后设置有一个温度低于峰值温区的温区。本发明通过采用将烧结区峰值温区前移的办法使得多晶电池使用慢速冷却工艺,有效避免快速冷却导致的铜原子富集,避免形成复合中心,从而解决多晶PERC光衰问题,有效降低多晶PERC电池的光衰,使得光照5Kwh光衰可以降低至1.08%左右,实用性很强,非常值得推广。 | ||
搜索关键词: | 温区 多晶 光衰 前移 电池 烧结 烧结区 电池使用 复合中心 快速冷却 慢速冷却 向前移动 烧结炉 铜原子 富集 光照 | ||
【主权项】:
1.一种多晶PERC电池通过烧结峰值温区前移降低光衰的方法,其特征在于:调整工艺参数,将烧结炉中烧结区的峰值温区向前移动一个温区,使得峰值温区后设置有一个温度低于峰值温区的温区。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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