[发明专利]一种多晶PERC电池通过烧结峰值温区前移降低光衰的方法

说明书

本发明公开了一种多晶PERC电池通过烧结峰值温区前移降低光衰的方法，调整工艺参数，将烧结炉中烧结区的峰值温区向前移动一个温区，使得峰值温区后设置有一个温度低于峰值温区的温区。本发明通过采用将烧结区峰值温区前移的办法使得多晶电池使用慢速冷却工艺，有效避免快速冷却导致的铜原子富集，避免形成复合中心，从而解决多晶PERC光衰问题，有效降低多晶PERC电池的光衰，使得光照5Kwh光衰可以降低至1.08％左右，实用性很强，非常值得推广。

技术领域

本发明涉及烧结工艺技术领域，具体为一种多晶PERC电池通过烧结峰值温区前移降低光衰的方法。

背景技术

影响P型硅电池光致衰减的两个主要原因是硼-氧复合体引起的光致衰减和铜原子杂质引起的光致衰减，众所周知P型晶体硅电池普遍有光衰效应，但PERC电池相较于常规电池的光衰更高，尤其是多晶PERC电池，光衰较常规多晶电池高50-100％左右。造成这一现象主要是由于PERC电池与常规电池两者吸杂过程存在区别，常规电池为前磷和背铝吸杂，而PERC电池仅有前磷吸杂。目前常规多晶电池片生产过程为：制绒-扩散-刻蚀-退火-SiNx镀膜-丝网印刷-烧结-分选-检测，由于正面有磷吸杂，背面有铝吸杂，并且多晶硅片相对单晶氧含量较低。

多晶PERC电池生产过程为：制绒-扩散-刻蚀-退火-背钝化-SiNx镀膜-背面激光-丝网印刷-烧结-分选-检测，由于背钝化形成的氧化铝和氮化硅膜导致背表面缺少了常规多晶电池的P+(Al背场)吸杂，传统烧结工艺快速冷却导致铜富集，形成复合中心，从而致使PERC电池的光衰加强。

现有技术中，烧结炉的传统烧结工艺，烧结案例一：传统9温区烧结炉1的传统烧结工艺参数设置：带速(m/min)：6.25±0.25；烘干区温度(℃)：240、260、280；烧结区温度(℃)：490、560、590、700、840、955；烧结案例二：传统13温区烧结炉2的传统烧结工艺参数设置：带速(m/min)：7.4±0.25；烘干区温度(℃)：210、210、220、220、230、230；烧结区温度(℃)：420、455、480、520、540、700、880。

传统烧结工艺峰值温度后直接进入冷却区，快速冷却导致铜富集，形成复合中心，由于多晶杂质含量高于单晶，所以导致多晶PERC电池光衰更为严重，光照5Kwh光衰达到3％-4％的衰减比例。

发明内容

本发明的目的在于提供一种多晶PERC电池通过烧结峰值温区前移降低光衰的方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种多晶PERC电池通过烧结峰值温区前移降低光衰的方法，调整工艺参数，将烧结炉中烧结区的峰值温区向前移动一个温区，使得峰值温区后设置有一个温度低于峰值温区的温区。

优选的，所述烧结炉为新型9温区烧结炉，工艺参数调整如下：

烘干区：具有三个温区，依次分别为240℃±40、260℃±40以及280℃±40；

烧结区：具有六个温区，依次分别为570℃±30、650℃±30、720℃±30、800℃±30、920℃±30以及730℃±30。

优选的，所述烧结炉为新型13温区烧结炉，工艺参数调整如下：

烘干区：具有六个温区，依次分别为210℃±40、210℃±40、220℃±40、220℃±40、230℃±40以及230℃±40；

烧结区：具有七个温区，依次分别为420℃±30、455℃±30、480℃±30、550℃±30、650℃±30、890℃±30以及690℃±30。

优选的，所述烧结炉的带速均设置为6.25±0.25m/min。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：