[发明专利]宽频晶圆缺陷侦测系统及宽频晶圆缺陷侦测方法在审
| 申请号： | 201810910134.5 | 申请日： | 2018-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN109841533A | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 郑迺汉;徐星杓 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本揭露提供了一种宽频晶圆缺陷侦测系统及宽频晶圆缺陷侦测方法。宽频晶圆缺陷侦测系统包含：宽频光源；具有面对宽频光源的第一侧的晶圆；设置以侦测自宽频光源发射且由第一侧反射的反射光的第一光感应器；设置以侦测反射自与晶圆的第一侧相对的第二侧的透射光的第二光感应器，其中透射光是源自于宽频光源；以及设置以分析反射光与透射光以辨别晶圆缺陷的侦测模块。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆缺陷 宽频 宽频光源 侦测 侦测系统 光感应器 反射光 透射光 晶圆 反射 侦测模块 透射 辨别 发射 分析 | ||
【主权项】：
1.一种宽频晶圆缺陷侦测系统，其特征在于，包含：一宽频光源；一晶圆，具有面对该宽频光源的一第一侧；一第一光感应器，设置以侦测自该宽频光源发射且由该第一侧散发的一反射光；一第二光感应器，设置以侦测来自与该晶圆的该第一侧相对的一第二侧散发的一透射光，其中该透射光是源自于该宽频光源；一侦测模块，设置以分析该反射光与该透射光以辨别晶圆缺陷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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