[发明专利]一种太阳能电池用硅片的处理方法有效
| 申请号： | 201810909926.0 | 申请日： | 2018-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN109273557B | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 张俊兵;蒋秀林;孙纤 | 申请（专利权）人： | 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人： | 李海波;刘艳丽 |
| 地址： | 225131 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种太阳能电池用硅片的处理方法，包括以下步骤：a)提供太阳能电池用硅片，所述太阳能电池用硅片包括硅基体、位于所述硅基体的第一主表面的第一多晶硅薄膜以及位于所述硅基体的第二主表面的第二多晶硅薄膜，所述第一多晶硅薄膜的厚度大于所述第二多晶硅薄膜的厚度，所述硅基体的第二主表面与所述硅基体的第一主表面相对；b)对所述太阳能电池用硅片的第二多晶硅薄膜进行离子蚀刻，以除去所述第二多晶硅薄膜且在所述太阳能电池用硅片的第二主表面上形成绒面。该方法属于干法方法，即通过反应离子刻蚀去除第二主表面及侧面的多晶硅薄膜，相比于传统化学湿法，工艺稳定性好，可重复性及可控度高，还可以提升电池性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 硅片 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种太阳能电池用硅片的处理方法，包括以下步骤：a)提供太阳能电池用硅片，所述太阳能电池用硅片包括硅基体(2)、位于所述硅基体(2)的第一主表面(201)的第一多晶硅薄膜(4)以及位于所述硅基体(2)的第二主表面(202)的第二多晶硅薄膜(5)，所述第一多晶硅薄膜(4)的厚度大于所述第二多晶硅薄膜(5)的厚度，所述硅基体(2)的第二主表面(202)与所述硅基体(2)的第一主表面(201)相对；b)对所述太阳能电池用硅片的第二多晶硅薄膜(5)进行离子蚀刻，以除去所述第二多晶硅薄膜(5)且在所述太阳能电池用硅片的第二主表面(202)上形成绒面(1)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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