[发明专利]二维SiC材料层的制备方法有效
| 申请号： | 201810904320.8 | 申请日： | 2018-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN108715450B | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 高学栋;冯志红;蔚翠;刘庆彬;何泽召;周闯杰;郭建超 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | C01B32/984 | 分类号： | C01B32/984 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 陆林生 |
| 地址： | 050051 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种二维SiC材料层的制备方法，属于碳化硅材料制备领域，包括步骤：将上表面放置有铜箔的硅衬底放置于反应腔室内；向所述反应腔室中通入第一气体；使所述铜箔被加热至预设反应温度，通入第二气体；通入甲烷气体，并在预设反应温度下保温预设时间；停止通入第二气体和甲烷气体，停止加热，再次通入第一气体，并使铜箔在预设冷却速度下冷却至室温；预设反应温度大于1083.4℃，所述第一气体为惰性气体，所述第二气体包括氢气。利用本发明提供的二维SiC材料层的制备方法制备的二维SiC材料，其厚度均匀，二维SiC材料性能均匀稳定，且操作步骤简单，效率高，有利于实现大尺寸二维SiC材料的快速制备。 | ||
| 搜索关键词： | 二维 sic 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.二维SiC材料层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：。将上表面放置有铜箔的硅衬底放置于反应腔室内；向所述反应腔室中通入第一气体；使所述铜箔被加热至预设反应温度，通入第二气体；通入甲烷气体，并在预设反应温度下保温预设时间；停止通入第二气体和甲烷气体，停止加热，再次通入第一气体，并使铜箔在预设冷却速度下冷却至室温；所述预设反应温度大于1083.4℃，所述第一气体为惰性气体，所述第二气体包括氢气。
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