[发明专利]阵列基板、X射线平板探测器及X射线探测方法有效
申请号: | 201810903596.4 | 申请日: | 2018-08-09 |
公开(公告)号: | CN109087925B | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
发明(设计)人: | 华刚;薛艳娜;王建;张勇;包智颖;米磊;白璐;王景棚;方浩博;林坚;张丽敏 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周泉 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本公开提供了一种阵列基板、X射线平板探测器及X射线探测方法。阵列基板包括:衬底基板,包括感应区和辅助区;多个感应TFT,按矩阵形式布置在所述感应区;多条信号读取线和多条栅线,纵横交叉的设置在所述感应区,其中,位于同一列的感应TFT的第一极电连接到同一条信号读取线,位于同一行的感应TFT的栅极电连接到同一条栅线;补偿TFT行,设置在辅助区,补偿TFT行中的各个TFT分别对应多个感应TFT的不同列,并且补偿TFT的第一极分别与其所对应列中的感应TFT电连接到相同的信号读取线;以及补偿栅线,连接补偿TFT行中的每个补偿TFT的栅极。补偿TFT的从源极到漏极的方向与该补偿TFT连接相同信号读取线的感应TFT的从源极到漏极的方向相反。 | ||
搜索关键词: | 阵列 射线 平板 探测器 探测 方法 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:衬底基板,包括感应区和辅助区;多个感应TFT,按矩阵形式布置在所述感应区;多条信号读取线和多条栅线,纵横交叉的设置在所述感应区,其中,位于同一列的感应TFT的第一极电连接到同一条信号读取线,位于同一行的感应TFT的栅极电连接到同一条栅线;补偿TFT行,设置在所述辅助区,所述补偿TFT行中的各个TFT分别对应所述多个感应TFT的不同列,并且所述补偿TFT的第一极分别与其所对应列中的感应TFT电连接到相同的信号读取线;以及补偿栅线,连接所述补偿TFT行中的每个补偿TFT的栅极;其中,所述感应TFT的第一极和所述补偿TFT的第一极同为源极或同为漏极,所述连接同一条信号读取线的感应TFT的从源极到漏极的方向相同,所述补偿TFT的从源极到漏极的方向与该补偿TFT连接相同信号读取线的感应TFT的从源极到漏极的方向相反。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的