[发明专利]一种p型SiC衬底判定方法在审
| 申请号： | 201810899287.4 | 申请日： | 2018-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN109103120A | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 杨培培;李祥彪;闵意;陈翠萍;谭志中;魏明杰;李瑞雪;尤佩扬 | 申请（专利权）人： | 南通大学 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 宿州智海知识产权代理事务所(普通合伙) 34145 | 代理人： | 陈燕 |
| 地址： | 226019*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种p型SiC衬底判定方法，使用变温霍尔效应测试系统，使用镍钛金合金作为电极材料，对待测的p型6H‑SiC衬底样品进行测量，变温测量为室温到850K温度范围，温度间隔为50K。对p型6H‑SiC衬底的载流子浓度进行检测和分析，可对出厂产品进行抽样检验，也可应用于大尺寸衬底样品导电类型均匀性的判定。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 判定 变温 载流子 测量 测试系统 抽样检验 出厂产品 导电类型 电极材料 霍尔效应 温度间隔 金合金 均匀性 镍钛 检测 应用 分析 | ||
【主权项】：
1.一种p型SiC衬底判定方法，使用变温霍尔效应测试系统，对待测的SiC样品进行电学测量，其技术特征在于：判定方法包括以下步骤：步骤（1）、待测样品为（0001）方向的SiC晶片，溅射法镀上Ni/Ti/Au作为电极，氩气气氛退火，获得良好的欧姆接触，采用范德堡法，霍尔效应测试系统测试样品电学特征，测试温度范围为室温到850K；步骤（2）、根据测试结果，得到p型6H‑SiC衬底的载流子浓度随温度的变化关系曲线；步骤（3）、根据判定标志与测试得到的6H‑SiC衬底的载流子浓度随温度的变化关系曲线进行比较，判定所测样品是否为p型衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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