[发明专利]一种p型碳化硅晶体的无损判定

摘要

本发明涉及一种p型碳化硅晶体的无损判定，使用变温拉曼光谱，对p型碳化硅晶体样品进行光谱测量，探测光的入射方向为沿碳化硅晶片的（000‑1）方向，变温测量为室温到800K温度范围，温度间隔为50K。分析对比载流子敏感的A1纵向光学模，根据其强度及峰位的变化，可以判断样品是否为p型掺杂。有益效果是采用基于光谱分析法，对p型碳化硅晶体的载流子浓度进行检测和分析，无需像霍尔测量一样的镀电极，对待测样品无损伤，检测过程可实现自动化和程序控制，可对出厂产品进行全面检验，也可应用于目前市场存在的2、3、4、6英寸完整晶圆产品检验。

主权项

1.一种p型碳化硅晶体的无损判定，使用变温拉曼光谱测试系统，对待测的碳化硅样品进行光谱测量，其技术特征在于：判定方法包括：（1）、探测光的入射方向为沿碳化硅晶片的（000‑1）方向，测量指标为变温拉曼谱，若测试样品为完整的晶圆，则可在样品台添加二维扫描结构，以获得完整晶圆的不同部位的拉曼谱随温度的变化特征；（2）、根据测试结果，得到p型碳化硅晶体的拉曼谱中纵向光学模（A1‑LO）强度及峰位随温度的变化关系曲线；（3）、根据判定标志与测试得到的碳化硅晶体的拉曼谱中纵向光学模（A1‑LO）强度及峰位随温度的变化关系曲线进行比较，判定所测样品是否为p型掺杂类型。