[发明专利]一种振荡电路在审
| 申请号： | 201810898784.2 | 申请日： | 2018-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN109274355A | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 沈孙园 | 申请（专利权）人： | 杭州宽福科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K3/356 | 分类号： | H03K3/356 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310012 浙江省杭州市西湖*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种振荡电路。一种振荡电路包括第一PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管和第四NMOS管。利用本发明可以有效地减小芯片面积。 | ||
| 搜索关键词： | 振荡电路 有效地 减小 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种振荡电路，其特征在于：包括第一PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管和第四NMOS管；所述第一PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一NMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极；源极接电源电压VCC；所述第一NMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极，漏极接地，源极接地；所述第二NMOS管的栅极接所述第三PMOS管的栅极和漏极和所述第四NMOS管的漏极，漏极接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第一NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极，源极接地；所述第三NMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第一NMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极，漏极接所述第二PMOS管的栅极和漏极和所述第四NMOS管的栅极，源极接地；所述第二PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第三NMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；所述第三PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第四NMOS管的漏极和所述第二NMOS管的栅极并作为振荡器的输出端OSCOUT；所述第四NMOS管的栅极接所述第二PMOS管的栅极和漏极和所述第三NMOS管的漏极，漏极接所述第三PMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的栅极并作为振荡器的输出端OSCOUT，源极接地。
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