[发明专利]图像传感器中的电荷传输有效
申请号: | 201810893507.2 | 申请日: | 2014-02-18 |
公开(公告)号: | CN109087924B | 公开(公告)日: | 2023-06-13 |
发明(设计)人: | 李向利;范晓峰;温宗晋 | 申请(专利权)人: | 苹果公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N25/587;H04N25/771;H04N25/79 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 边海梅 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开了图像传感器中的电荷传输。图像传感器像素的一个实例可包括第一电荷存储节点和第二电荷存储节点。传输电路可耦接于所述第一电荷存储节点和所述第二电荷存储节点之间,并且所述传输电路可以具有邻近第一电荷存储节点并被配置为具有第一电势的第一区域。传输电路还可以具有邻近第二电荷存储节点并被配置为具有更高的第二电势的第二区域。输入节点可被配置为基于向所述输入节点提供的传输信号来控制所述第一电势和所述第二电势。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 中的 电荷 传输 | ||
【主权项】:
1.一种在集成电路IC中将电荷从第一存储节点传输到第二存储节点的方法,该方法包括:在传输门处向所述IC的第一区域和所述IC的第二区域施加第一施加电势,其中:所述IC的所述第一区域在所述IC的所述第一存储节点和所述第二区域之间,所述第一区域和所述第二区域被定位成与所述传输门相邻;所述第一区域被配置为保持第一可变电势小于所述第二区域的第二可变电势;所述IC的虚拟势垒区域在所述第二区域和所述第二存储节点之间,并且被配置为具有低于所述第二存储节点的电势的虚拟势垒电势;并且所述第一施加电势使得所述第一可变电势将低于所述第一存储节点的电势;在所述第一存储节点中累积一量值的电荷;在所述传输门处向所述第一区域和所述第二区域施加第二施加电势以使得:所述第一可变电势大于所述第一存储节点的电势;并且所述第一存储节点的累积的电荷中的一部分被传输到所述第二区域;在所述传输门处施加第三施加电势以使得所述第二可变电势小于所述虚拟势垒电势;以及将来自所述第二区域的所累积的电荷的一部分传输到所述第二存储节点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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