[发明专利]一种漏极共用的沟槽式双MOS管器件及制造方法

摘要

一种漏极共用的沟槽式双MOS管器件及制造方法，属于半导体技术领域。包括衬底（19）、漂移区（18）以及沟槽（13），其特征在于：在沟槽（13）内中部的多晶硅分为第一多晶硅（12）和第二多晶硅（14），在两个沟槽（13）之间的MOS结构上开设有底层接触孔（6），在MOS结构的表面设有连接层。还包括如下步骤：步骤1，第一次氧化及光刻；步骤2，第一次氧化物沉积；步骤3，第二次氧化；步骤4，第二道光刻；步骤5，第二次氧化物沉积；步骤6，在漂移区（18）上方形成MOS结构；步骤7，形成连接层。在本漏极共用的沟槽式双MOS管器件及制造方法中，电流通过两个MOS结构之间的沟槽周围形成的导电通道实现流通，降低了导通电阻。

主权项

1.一种漏极共用的沟槽式双MOS管器件，包括衬底（19）以及衬底（19）上方的漂移区（18），在漂移区（18）的表面开设有若干沟槽（13），在沟槽（13）的侧壁以及底部分别设置有沟槽侧壁绝缘层（15）和沟槽底部绝缘层（11），在沟槽（13）内还填充有多晶硅，其特征在于：在所述的沟槽（13）内中部还竖直设置有沟槽中部绝缘层（10），所述的多晶硅包括分别位于沟槽中部绝缘层（10）两侧的第一多晶硅（12）和第二多晶硅（14），自第一多晶硅（12）和第二多晶硅（14）分别引出双MOS管的两个栅极；在相邻两个沟槽（13）之间自上而下依次形成源区（16）和基区（17），在两个沟槽（13）之间还开设有底层接触孔（6），底层接触孔（6）填充导电材料并自上而下穿过源区（16）进入基区（17）形成MOS结构，在MOS结构的表面设有连接层，连接层与MOS结构连接分别引出双MOS管的两个源极。