[发明专利]一种剥离CVD机台内玻璃基板的方法有效
申请号: | 201810877071.8 | 申请日: | 2018-08-03 |
公开(公告)号: | CN109031715B | 公开(公告)日: | 2021-07-06 |
发明(设计)人: | 许永贵 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/13 | 分类号: | G02F1/13;C23C16/56 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供一种剥离CVD机台内剥离玻璃基板的方法,所述方法包括以下步骤:先将下电极板向远离上电极板的方向以第一预设速度下降至第一预设距离,此时边缘支撑棒刚好接触到所述玻璃基板;然后设定所述下电极板以第二预设速度下降至第二预设距离,此时所述玻璃基板的边缘部位与所述下电极板剥离,周边支撑棒刚好接触到所述玻璃基板;所述下电极板以第三预设速度下降,此过程中所述周边支撑棒对应的所述玻璃基板与所述下电极板剥离,且对应所述玻璃基板中心的中心支撑棒刚好接触到所述玻璃基板,下降至第三预设距离时,所述玻璃基板与所述下电极板的全部剥离;所述下电极板恢复至所述第一预设速度下降至第四预设距离。 | ||
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【主权项】:
1.一种剥离CVD机台内玻璃基板的方法,CVD机台的真空腔室内包括相对设置的上电极板与下电极板,玻璃基板承载于所述下电极板上,且所述下电极板上活动设置有支撑棒,其特征在于所述方法包括以下步骤:步骤S1、在化学气相淀积制程结束后,向所述真空腔室通入H2,承载所述玻璃基板的所述下电极板向远离所述上电极板的方向以第一预设速度下降至第一预设距离,此时对应所述玻璃基板边缘的边缘支撑棒刚好接触到所述玻璃基板;步骤S2、所述下电极板以第二预设速度继续下降至第二预设距离,此时所述边缘支撑棒对应的所述玻璃基板已与所述下电极板剥离,对应所述玻璃基板中心周边的周边支撑棒刚好接触到所述玻璃基板;步骤S3、所述下电极板以第三预设速度下降至第三预设距离,此过程中所述周边支撑棒对应的所述玻璃基板与所述下电极板剥离,且对应所述玻璃基板中心的中心支撑棒刚好接触到所述玻璃基板,在到达所述第三预设距离时,所述玻璃基板与所述下电极板完全剥离;步骤S4、所述下电极板的下降速度恢复至所述第一预设速度,所述下电极板下降至第四预设距离以便于所述玻璃基板的取出。
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