[发明专利]半导体表面增强拉曼散射的金刚石基底及其制备方法在审
| 申请号： | 201810875520.5 | 申请日： | 2018-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN109142313A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 李红东;高莹;王启亮;高楠;刘钧松;成绍恒 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65;C23C16/27 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 王恩远 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明的半导体表面增强拉曼散射的金刚石基底及其制备方法，属于拉曼散射信号增强的技术领域。金刚石基底的结构在硅片或金刚石的衬底表面生长有掺杂硼、氮、硫、磷、硫氮或磷氮等的金刚石膜。采用化学气相沉积方法在衬底上沉积掺杂金刚石膜；制得的掺杂金刚石膜还可以进行表面功能化处理，获得表面氢终止或氧终止的掺杂金刚石膜，以提高增强因子。本发明首次以金刚石材料作为一种新的半导体SERS基底，具有高灵敏度、稳定性、可重复性、以及具有良好生物兼容性；增强因子可达到102‑105，并可用于多种不同的探针分子检测。 | ||
| 搜索关键词： | 金刚石 金刚石膜 基底 掺杂 半导体表面 拉曼散射 制备 化学气相沉积 拉曼散射信号 表面功能化 金刚石材料 生物兼容性 衬底表面 高灵敏度 可重复性 探针分子 表面氢 硅片 沉积 衬底 可用 磷氮 硫氮 半导体 生长 检测 | ||
【主权项】：
1.一种半导体表面增强拉曼散射的金刚石基底，其特征在于，在硅片衬底、钛片衬底或金刚石衬底表面生长有掺杂金刚石膜；所述的掺杂，是在金刚石膜内掺杂硼、氮、硫、磷、硫‑氮或磷‑氮元素。
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