[发明专利]一种复合衬底及该复合衬底制作薄膜体声波谐振器的方法有效
| 申请号： | 201810866323.7 | 申请日： | 2018-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN109302159B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 广州市艾佛光通科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H9/02;H03H9/05;H03H9/17 |
| 代理公司： | 广州容大知识产权代理事务所(普通合伙) 44326 | 代理人： | 刘新年 |
| 地址： | 510000 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种复合衬底，包括生长衬底和薄膜结构层，薄膜结构层生长在生长衬底上；薄膜结构层包括保护层、顶电极、压电薄膜、底电极和支撑层，顶电极溅射在保护层上，压电薄膜生长在顶电极上，底电极溅射在压电薄膜上，支撑层沉积在底电极表面。本发明还提供一种复合衬底制作薄膜体声波谐振器的方法。本发明的该复合衬底利用保护层与制备衬底、顶电极或压电层之间呈现的刻蚀高选择比特性，从而增加了对顶电极或者压电层的保护，克服了制备衬底与其上生长的薄膜结构层剥离的过程中导致顶电极或压电层粗糙度增大的问题，从而降低了声波能量的损失。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 衬底 制作 薄膜 声波 谐振器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种复合衬底，其特征在于，包括生长衬底和薄膜结构层，所述薄膜结构层生长在生长衬底上；所述薄膜结构层包括保护层、顶电极、压电薄膜、底电极和支撑层，所述顶电极溅射在保护层上，所述压电薄膜生长在顶电极上，所述底电极溅射在压电薄膜上，所述支撑层沉积在底电极表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州市艾佛光通科技有限公司，未经广州市艾佛光通科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810866323.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
