[发明专利]改善扩散长度效应及制作MOS晶体管的方法

摘要

本发明提供一种改善扩散长度效应及制作MOS晶体管的方法，通过在浅沟槽的侧壁和底部注入锗离子，改变离子注入处的衬底的晶格结构，使衬底与浅沟槽内绝缘层之间产生的应力减小，从而改善扩散长度效应，提高半导体器件的性能。进一步的，本发明通过在浅沟槽结构制作过程加入锗离子注入，缓冲了衬底和浅沟槽内绝缘层之间应力的作用，进而减弱应力对有源区离子扩散的影响，保证MOS晶体管性能稳定性和可靠性。而且，本发明是在不改变设计布局的前提下，对浅槽隔离结构的形成过程进行改进，并不影响MOS晶体管的集成度，同时，本发明只是在浅沟槽的侧壁和底部进行小剂量的离子注入，工艺流程与现有工艺兼容，简便易行。

主权项

1.一种改善扩散长度效应的方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底内形成有浅沟槽；对所述浅沟槽进行倾斜锗离子注入；填充绝缘层在所述浅沟槽内，所述离子注入能够改变所述浅沟槽侧壁及底部的衬底的晶格结构，以缓冲所述衬底与所述绝缘层之间的应力。