[发明专利]一种GaN功率放大器供电控制电路、上掉电控制方法有效
| 申请号： | 201810857995.1 | 申请日： | 2018-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN109067366B | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 李雪平;刘海涛;刘兴现;陈太蒙;李娣;姚顺奇 | 申请（专利权）人： | 京信网络系统股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/30 | 分类号： | H03F1/30;H03F1/52;H03F3/21 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 510663 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种GaN功率放大器供电控制电路、上掉电控制方法，用于解决现有技术中GaN功率放大器供电控制电路结构复杂，制造成本高昂的技术问题。其中，所述供电控制电路包括处理器、栅极电压生成电路、漏极电压开关电路以及GaN功率放大器；所述处理器通过所述栅极电压生成电路与所述GaN功率放大器的栅极相连，通过所述漏极电压开关电路与所述GaN功率放大器的漏极相连；所述处理器用于控制所述GaN功率放大器的栅极电压和漏极电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 功率放大器 供电 控制电路 掉电 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种GaN功率放大器供电控制电路，其特征在于，包括处理器、栅极电压生成电路、漏极电压开关电路以及GaN功率放大器；其中，所述处理器通过所述栅极电压生成电路与所述GaN功率放大器的栅极相连，通过所述漏极电压开关电路与所述GaN功率放大器的漏极相连；所述处理器用于控制所述GaN功率放大器的栅极电压和漏极电压。
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