[发明专利]一种GaN功率放大器供电控制电路、上掉电控制方法

权利要求书

1.一种GaN功率放大器供电控制电路，其特征在于，包括处理器、栅极电压生成电路、漏极电压开关电路以及GaN功率放大器；

其中，所述处理器通过所述栅极电压生成电路与所述GaN功率放大器的栅极相连，通过所述漏极电压开关电路与所述GaN功率放大器的漏极相连；

所述处理器用于控制所述GaN功率放大器的栅极电压和漏极电压；

所述栅极电压生成电路包括：

PWM滤波电路，与所述处理器相连，用于根据PWM信号生成正电压直流信号；

运放电路，与所述PWM滤波电路相连，用于对所述PWM滤波电路生成的正电压直流信号进行放大和反向处理，生成负电压直流信号，并将所述负电压直流信号发送至所述GaN功率放大器的栅极。

2.如权利要求1所述的供电控制电路，其特征在于，所述处理器用于生成脉宽调制PWM信号；

所述栅极电压生成电路根据所述PWM信号生成负电压直流信号，并将所述负电压直流信号发送至所述GaN功率放大器的栅极；其中，所述负电压直流信号的电压大小与所述PWM信号的占空比的大小负相关；

所述处理器通过控制所述PWM信号的占空比控制所述GaN功率放大器的栅极电压的大小。

3.如权利要求1所述的供电控制电路，其特征在于，所述PWM滤波电路包括PWM滤波模块或电阻电容RC电路。

4.如权利要求1所述的供电控制电路，其特征在于，所述运放电路具体包括正向调理运放、反向隔离运放以及正负压电源；

其中，所述正向调理运放与所述PWM滤波电路相连，用于对所述PWM滤波电路生成的正电压直流信号进行放大处理，生成放大后的正电压直流信号；

所述反向隔离运放与所述正向调理运放相连，用于对所述放大后的正电压直流信号进行反向处理，生成负电压直流信号，并将所述负电压直流信号发送至所述GaN功率放大器的栅极；

所述正负压电源与所述正向调理运放、所述反向隔离运放分别相连，用于为所述正向调理运放、所述反向隔离运放供电。

5.如权利要求1所述的供电控制电路，其特征在于，所述漏极电压开关电路包括漏压开关，以及与所述漏压开关相连的正电源；所述处理器通过所述漏压开关与所述GaN功率放大器的漏极相连；

所述处理器用于向所述漏压开关发送电压信号以控制所述GaN功率放大器漏极电压的大小；其中，当所述处理器发送给所述漏压开关的电压信号为低逻辑时，所述漏压开关导通，所述正电源的电压通过所述漏压开关偏置到所述GaN功率放大器的漏极；当所述处理器发送给所述漏压开关的电压信号为高逻辑时，所述漏压开关断开，所述GaN功率放大器漏极电压为0。

6.如权利要求1-5任一项所述的供电控制电路，其特征在于，所述处理器用于：

在需要对GaN功率放大器进行上电时，向所述漏极电压开关电路发送高逻辑的电压信号，使得所述GaN功率放大器的漏极电压为0；

将所述GaN功率放大器的栅极电压设置为所述GaN夹断电压以下，实现对所述GaN功率放大器的栅极上电；

在确定所述GaN功率放大器使能后，向所述漏极电压开关电路发送低逻辑的电压信号，使得所述漏极电压开关电路中的正电源的电压偏置到所述GaN功率放大器的漏极，实现对所述GaN功率放大器的漏极上电；

在确定所述GaN功率放大器不使能后，将栅极电压设置为所述GaN夹断电压以下，实现对所述GaN功率放大器的保护；

向所述漏极电压开关电路发送高逻辑的电压信号，使得所述GaN功率放大器的漏极电压为0，实现对所述GaN功率放大器的漏极掉电；

在所述漏极完全掉电后，将栅极电压设置为0，实现对所述GaN功率放大器的栅极掉电。

7.如权利要求6所述的供电控制电路，其特征在于，所述处理器还用于：

在对所述GaN功率放大器的漏极上电完成后，设置所述GaN功率放大器的栅极电压值，并存储所述栅极电压值。