[发明专利]一种GaN功率放大器供电控制电路、上掉电控制方法有效

专利信息
申请号: 201810857995.1 申请日: 2018-07-31
公开(公告)号: CN109067366B 公开(公告)日: 2022-03-25
发明(设计)人: 李雪平;刘海涛;刘兴现;陈太蒙;李娣;姚顺奇 申请(专利权)人: 京信网络系统股份有限公司
主分类号: H03F1/30 分类号: H03F1/30;H03F1/52;H03F3/21
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 黄志华
地址: 510663 广东省广州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 gan 功率放大器 供电 控制电路 掉电 控制 方法
【说明书】:

发明实施例提供一种GaN功率放大器供电控制电路、上掉电控制方法,用于解决现有技术中GaN功率放大器供电控制电路结构复杂,制造成本高昂的技术问题。其中,所述供电控制电路包括处理器、栅极电压生成电路、漏极电压开关电路以及GaN功率放大器;所述处理器通过所述栅极电压生成电路与所述GaN功率放大器的栅极相连,通过所述漏极电压开关电路与所述GaN功率放大器的漏极相连;所述处理器用于控制所述GaN功率放大器的栅极电压和漏极电压。

技术领域

本发明涉及电子技术领域,特别涉及一种GaN功率放大器供电控制电路、上掉电控制方法。

背景技术

随着中国制造2025宏伟蓝图的提出,能源成为了制约当今社会发展的一个重要因素,低碳环保成为了当今社会的主基调。在高速发展的通信领域,系统效率高低直接决定了能源消耗快慢。GaN功率放大器作为一种宽带高效率器件,其自身独特的宽带高效性能,能够极大程度的降低通信系统的功耗,减少能源的浪费,实现低碳节能环保。

GaN功率放大器作为一种耗尽型功率放大器,在上电时必须先偏置栅极的负压,待栅极的负压稳定后才能偏置漏极的正压,在掉电时必须要先掉漏极的正压,待漏极的正压完全掉电后,再掉栅极的负压。基于这种特殊的上掉电时序,为GaN功率放大器设计合理的供电控制电路至关重要,稳定可靠的供电控制电路是保证GaN器件正常偏置与正常工作的前提。

目前,业内比较普遍的供电控制电路是采用负压芯片来控制GaN功率放大器的上掉电时序,这种负压芯片必须要有负压输出指示,通过该指示来控制漏极正压开关。但是,这种方法电路结构复杂,制造成本高昂。

发明内容

本发明实施例提供一种GaN功率放大器供电控制电路、上掉电控制方法,用于解决现有技术中GaN功率放大器供电控制电路结构复杂,制造成本高昂的技术问题。

第一方面,本发明实施例提供一种GaN功率放大器供电控制电路,包括处理器、栅极电压生成电路、漏极电压开关电路以及GaN功率放大器;

其中,所述处理器通过所述栅极电压生成电路与所述GaN功率放大器的栅极相连,通过所述漏极电压开关电路与所述GaN功率放大器的漏极相连;

所述处理器用于控制所述GaN功率放大器的栅极电压和漏极电压。

上述技术方案通过处理器、栅极电压生成电路、漏极电压开关电路设计GaN功率放大器供电控制电路,采用通用低成本的处理器实现栅极电压和漏极电压的控制,电路结构简单,节约了制造成本。

可选的,所述处理器用于生成脉宽调制PWM信号;所述栅极电压生成电路根据所述PWM信号生成负电压直流信号,并将所述负电压直流信号发送至所述GaN功率放大器的栅极;其中,所述负电压直流信号的电压大小与所述PWM信号的占空比的大小负相关;所述处理器通过控制所述PWM信号的占空比控制所述GaN功率放大器的栅极电压的大小。

通过本实施方式,处理器只需要调整PWM信号的占空比,就可以对GaN功率放大器栅极偏置电压进行调整,使得GaN功率放大器供电控制电路可以适用于多种GaN功率放大器的场合,更适用于批量化生产。

可选的,所述栅极电压生成电路包括:PWM滤波电路,与所述处理器相连,用于根据所述PWM信号生成正电压直流信号;运放电路,与所述PWM滤波电路相连,用于对所述PWM滤波电路生成的正电压直流信号进行放大和反向处理,生成负电压直流信号,并将所述负电压直流信号发送至所述GaN功率放大器的栅极。

通过本实施方式,可以实现对PWM信号的滤波、放大以及反向处理,进而向GaN功率放大器提供需要的栅极电压,电路结构简单,实现成本低。

可选的,所述PWM滤波电路包括PWM滤波模块或RC电路。

通过本实施方式,可以实现对PWM信号的滤波处理,电路结构简单,实现成本低。

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