[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 201810846296.7 申请日: 2018-07-27
公开(公告)号: CN110349612A 公开(公告)日: 2019-10-18
发明(设计)人: 櫛田桂一 申请(专利权)人: 东芝存储器株式会社
主分类号: G11C16/04 分类号: G11C16/04;G11C16/06;G11C16/26
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 杨林勳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的半导体装置具备锁存电路,该锁存电路具有能够保存相反极性的数据的第1、第2节点。第1晶体管位于第1节点与第1位线之间,且栅极电极连接于字线。第2晶体管位于第2节点与第2位线之间,且栅极连接于字线。电源线电连接于锁存电路。第3晶体管位于第1节点与基准电压源之间。第4晶体管位于第2节点与基准电压源之间,且栅极电连接于基准电压源。信号线电连接于第3晶体管的栅极。在第1模式下,电源线对锁存电路供给第1电压,信号线使第3晶体管为非导通状态,在第2模式下,电源线对锁存电路供给第2电压,信号线使第3晶体管为导通状态而将第1节点连接于基准电压源。
搜索关键词: 晶体管 基准电压源 锁存电路 半导体装置 电源线 信号线 对锁 位线 字线 电路 电源线电连接 非导通状态 导通状态 节点连接 相反极性 信号线电 栅极电极 栅极连接 电连接 保存
【主权项】:
1.一种半导体装置,具备:锁存电路,具有能够保存互为相反极性的数据的第1及第2节点;第1晶体管,电连接于所述第1节点与第1位线之间,且将栅极电极电连接于字线;第2晶体管,电连接于所述第2节点与第2位线之间,且将栅极电极电连接于所述字线;电源线,电连接于所述锁存电路;第3晶体管,电连接于所述第1节点与基准电压源之间;第4晶体管,连接于所述第2节点与所述基准电压源之间,且将栅极电极电连接于所述基准电压源;以及信号线,电连接于所述第3晶体管的栅极电极;且在第1模式下,所述电源线对所述锁存电路供给第1电压,所述信号线使所述第3晶体管为非导通状态,在第2模式下,所述电源线对所述锁存电路供给第2电压,所述信号线使所述第3晶体管为导通状态而将所述第1节点电连接于所述基准电压源。
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