[发明专利]一种C/C复合材料表面SiC涂层的制备方法在审
| 申请号： | 201810845180.1 | 申请日： | 2018-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN108911789A | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 王新华;杨程;陈红 | 申请（专利权）人： | 湖南省长宁炭素股份有限公司 |
| 主分类号： | C04B41/87 | 分类号： | C04B41/87 |
| 代理公司： | 长沙朕扬知识产权代理事务所(普通合伙) 43213 | 代理人： | 马凤兰 |
| 地址： | 410000 湖南省长沙市宁乡*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 一种C/C复合材料表面SiC涂层的制备方法，包括如下步骤：(1)制备并预处理C/C复合材料坯体；(2)C/C复合材料坯体表面处理：使用激光切削装置真空环境下在C/C复合材料坯体的表面形成均匀的槽口，所有的槽口形成网格状结构；(3)SiC涂层的制备：采用化学气相沉积法，并以三氯甲基硅烷MTS作为前驱体以提供沉积反应的硅源和碳源；(4)连续重复步骤(3)中的沉积过程1‑2次，重复之前，清空化学气相沉积炉中的残留气体，更换新的三氯甲基硅烷MTS作为前驱体以提供沉积反应的硅源和碳源，其余沉积条件不变。本发明可以有效解决SiC高温氧化时产生的严重氧化甚至剥落、脱离现象及失效现象，利于延长涂层的使用寿命，从而利于提高C/C复合材料的高温抗氧化性能。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 复合材料坯体 沉积 复合材料表面 三氯甲基硅烷 前驱体 槽口 硅源 预处理 高温抗氧化性能 化学气相沉积炉 化学气相沉积 网格状结构 表面形成 残留气体 沉积条件 高温氧化 激光切削 连续重复 失效现象 使用寿命 有效解决 装置真空 复合材料 清空 剥落 重复 脱离 | ||
【主权项】：
1.一种C/C复合材料表面SiC涂层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)制备并预处理C/C复合材料坯体：将气相沉积法制成的C/C复合材料坯体打磨后在无水乙醇中超声清洗，然后再进行烘干处理；(2)C/C复合材料坯体表面处理：使用激光切削装置真空环境下在C/C复合材料坯体的表面形成均匀的槽口，所有的槽口形成网格状结构；(3)SiC涂层的制备：将经表面处理的C/C复合材料坯体置于化学气相沉积炉中，维持炉内的压力为1.5‑2KPa，以三氯甲基硅烷MTS作为前驱体以提供沉积反应的硅源和碳源，以Ar为稀释气体，以H2作为载气和反应气体，通过鼓泡法将MTS蒸汽引入高温沉积炉中在C/C复合材料坯体上沉积制备SiC涂层，沉积温度为1200‑1500℃，沉积时间15‑40h；(4)连续重复步骤(3)中的沉积过程1‑2次，重复之前，清空化学气相沉积炉中的残留气体，更换新的三氯甲基硅烷MTS作为前驱体以提供沉积反应的硅源和碳源，其余沉积条件不变。
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