[发明专利]应变平衡GeSn红外光电探测器及其制造方法有效
| 申请号： | 201810836030.4 | 申请日： | 2018-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN110767766B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 汪巍;方青;涂芝娟;曾友宏;蔡艳;王庆;王书晓;余明斌 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/09 | 分类号： | H01L31/09;H01L31/028;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种应变平衡GeSn红外光电探测器及其制造方法。所述应变平衡GeSn红外光电探测器，包括硅衬底以及依次层叠于所述硅衬底上的Ge缓冲层和吸收层；所述吸收层，包括沿垂直于所述硅衬底的方向交替堆叠的拉应变Si |
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| 搜索关键词： | 应变 平衡 gesn 红外 光电 探测器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种应变平衡GeSn红外光电探测器，其特征在于，包括硅衬底以及依次层叠于所述硅衬底上的Ge缓冲层和吸收层；/n所述吸收层，包括沿垂直于所述硅衬底的方向交替堆叠的拉应变Si
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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