[发明专利]用于制造图像传感器的方法和系统在审
| 申请号： | 201810832477.4 | 申请日： | 2018-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN109429020A | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 金曜澖;全倧旭;权义熙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H04N5/335 | 分类号： | H04N5/335;H04N5/225;H04N5/378;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种制造包括第一半导体芯片和第二半导体芯片的图像传感器的方法，包括：接收分别与第一半导体芯片和第二半导体芯片相关联的制造数据；处理制造数据以确定由多个像素中的每个像素生成的像素信号传输到的像素信号传输线的电容和电阻，其中所述电容和电阻对应于与多个像素中的每个像素相关联的位置信息；以及在第一半导体芯片电连接到第二半导体芯片之前，基于所确定的电容和电阻确定图像传感器的预测的特性。基于确定图像传感器的预测的特性至少满足一个或多个目标值的特定集合，第一半导体芯片可以电连接到第二半导体芯片以形成图像传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体芯片 图像传感器 电容 像素 像素信号 制造数据 电连接 电阻 传输线 关联 电阻确定 像素生成 预测 制造 集合 传输 | ||
【主权项】：
1.一种制造图像传感器的方法，所述图像传感器包括第一半导体芯片和第二半导体芯片，所述第一半导体芯片包括多个像素，所述第二半导体芯片包括信号处理电路，所述方法包括：接收与第一半导体芯片的设计相关联的第一制造数据；接收与第二半导体芯片的设计相关联的第二制造数据；处理第一制造数据和第二制造数据，以确定由多个像素中的每个像素生成的像素信号被传输到的像素信号传输线的预测的电容和预测的电阻，所述预测的电容和预测的电阻对应于与多个像素中的每个像素相关联的位置信息；基于预测的电容和预测的电阻来确定图像传感器的预测的特性；以及基于确定由第一半导体芯片和第二半导体芯片的电连接导致的图像传感器的预测的特性至少满足一个或多个目标值的特定集合，电连接第一半导体芯片和第二半导体芯片以形成图像传感器。
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