[发明专利]一种3D NAND存储器及其制造方法在审
| 申请号： | 201810829384.6 | 申请日： | 2018-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN108987408A | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 宋雅丽 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11582;H01L29/24 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵秀芹;王宝筠 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种3D NAND存储器及其制造方法。该3D NAND存储器中的沟道层包括二维材料层。因二维材料具有更高的电子迁移率，因此，由二维材料作为沟道层材料制成的3D NAND存储器，能够实现3D NAND存储器更好的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 二维材料 电子迁移率 沟道层材料 电学性能 沟道层 制造 申请 | ||
【主权项】：
1.一种3D NAND存储器，其特征在于，包括：衬底；设置于所述衬底上层叠结构；以及贯穿所述层叠结构的沟道孔；其中，所述沟道孔的侧壁上依次设置有阻挡层、电荷俘获层、遂穿层和沟道层，所述沟道层包括二维材料层；所述二维材料层为由能够稳定生长的二维材料形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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