[发明专利]集成发光器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201810826539.0 | 申请日： | 2018-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN110767817A | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 雷卉;曹蔚然;钱磊 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 44237 深圳中一专利商标事务所 | 代理人： | 官建红 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明具体涉及一种集成发光器件及其制备方法。该集成发光器件包括依次层叠设置的第一电极、绝缘层、第二电极、发光层和第三电极；所述第一电极、所述绝缘层、所述第二电极和所述第三电极组成场效应晶体管单元，所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极分别为所述场效应晶体管单元中的栅极、源极、漏极，且所述绝缘层在与所述第二电极相邻的表面设置有用于聚光的纳米坑阵列结构；所述第二电极、所述发光层和所述第三电极组成发光单元；所述发光单元沿所述第二电极向所述第一电极发光。该集成发光器件中的纳米坑阵列结构可减少入射光的入射角，这样更有利于减少发光单元的输出光发生全反射造成的损失，从而增强了集成发光器件的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 第二电极 集成发光器件 第三电极 第一电极 绝缘层 发光单元 场效应晶体管单元 阵列结构 发光层 纳米坑 表面设置 出光效率 依次层叠 聚光的 全反射 入射光 入射角 输出光 漏极 源极 制备 发光 | ||
【主权项】：
1.一种集成发光器件，其特征在于，包括依次层叠设置的第一电极、绝缘层、第二电极、发光层和第三电极；/n所述第一电极、所述绝缘层、所述第二电极和所述第三电极组成场效应晶体管单元，所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极分别为所述场效应晶体管单元中的栅极、源极、漏极，且所述绝缘层在与所述第二电极相邻的表面设置有用于聚光的纳米坑阵列结构；/n所述第二电极、所述发光层和所述第三电极组成发光单元，所述发光单元沿所述第二电极向所述第一电极发光。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TCL集团股份有限公司，未经TCL集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810826539.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
