[发明专利]集成发光器件及其制备方法

说明书

本发明具体涉及一种集成发光器件及其制备方法。该集成发光器件包括依次层叠设置的第一电极、绝缘层、第二电极、发光层和第三电极；所述第一电极、所述绝缘层、所述第二电极和所述第三电极组成场效应晶体管单元，所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极分别为所述场效应晶体管单元中的栅极、源极、漏极，且所述绝缘层在与所述第二电极相邻的表面设置有用于聚光的纳米坑阵列结构；所述第二电极、所述发光层和所述第三电极组成发光单元；所述发光单元沿所述第二电极向所述第一电极发光。该集成发光器件中的纳米坑阵列结构可减少入射光的入射角，这样更有利于减少发光单元的输出光发生全反射造成的损失，从而增强了集成发光器件的出光效率。

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种集成发光器件及其制备方法。

背景技术

近年来，量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)及有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)因具备高亮度、低功耗、广色域、易加工等诸多优点在照明和显示领域获得了广泛的关注与研究。相对比有机发光二极管(OLED)，在同等画质下，QLED的节能性有望达到OLED的两倍，发光率将提升30％至40％。同时，QLED具有启亮电压低、光致发光光谱半高宽窄、发光波长与颜色可通过量子点颗粒尺寸进行调节和低成本溶液法制备等优点，在固态照明和显示领域有巨大的应用潜力。另外在微电子技术的发展背景下，场效应晶体管(Field Effect Transistor，FET)是目前现代微电子学中应用最广泛的器件之一。目前已有文献报道将FET与有机发光器件集成，使FET用于平板显示的驱动单元，通过晶体管栅压控制源漏电流控制器件发光。

高性能发光场效应晶体管要求栅绝缘层具有良好的绝缘性能和电容性能，及较优的器件结构和性能，代表器件为有机发光场效应晶体管(Organic Field EffectTransisbor，OFET)。OFET主流的制备技术包括以热蒸镀和溅射为代表的真空镀膜技术，其具有成膜均匀性高、厚度可控及相对具备较高场效应迁移率等优点。虽然QLED器件发光效率取得了较大的突破，但受限于波导模、表面等离子体模等模式限制，发光器件出光率仍然较低，因而提高光的提取率成为改善器件发光性能的重要部分。

目前，常采用的提高器件出光率的方法有通过微腔效应控制器件厚度、设置布拉格反射镜及光子晶体结构等方法，但这些方法在提升器件出光率的效果方面不理想，因此，现有技术有待改进。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种集成发光器件及其制备方法，旨在解决现有发光器件的光提取率不理想的技术问题。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

本发明一方面提供一种集成发光器件，包括依次层叠设置的第一电极、绝缘层、第二电极、发光层和第三电极；

所述第一电极、所述绝缘层、所述第二电极和所述第三电极组成场效应晶体管单元，所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极分别为所述场效应晶体管单元中的栅极、源极、漏极，且所述绝缘层在与所述第二电极相邻的表面设置有用于聚光的纳米坑阵列结构；

所述第二电极、所述发光层和所述第三电极组成发光单元，所述发光单元沿所所述第二电极向所述第一电极发光。

本发明提供的集成发光器件，是一种电容驱动发光的集成器件，包括由第一电极、绝缘层、第二电极和第三电极组成场效应晶体管单元和由第二电极、发光层和第三电极组成的发光单元，相对于现有技术，该场效应晶体管单元中的绝缘层在与第二电极相邻的表面设置有纳米坑阵列结构，当发光单元向第一电极方向发光时，输出光射入该纳米坑阵列结构，该纳米坑阵列结构具有相当于透镜的聚光作用，可减少入射光的入射角，从而减少全反射，因此该纳米坑阵列结构更有利于减少发光单元的输出光发生全反射造成的损失，从而增强了集成发光器件的出光效率。