[发明专利]图像传感器有效
| 申请号： | 201810823677.3 | 申请日： | 2018-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN109860212B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 朴圣根;文惠嫄 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种图像传感器，该图像传感器包括：第一转移栅极，其形成在基板上方，并且包括第一突起；第二转移栅极，其形成在基板上方，与第一转移栅极邻近，并且包括第二突起；以及浮置扩散区域，其形成在基板中，并且与第一转移栅极和第二转移栅极部分地交叠，其中，第一突起和第二突起彼此面对。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器，该图像传感器包括：第一转移栅极，该第一转移栅极形成在基板上方，并且包括第一突起；第二转移栅极，该第二转移栅极形成在所述基板上方，与所述第一转移栅极邻近，并且包括第二突起；以及浮置扩散区域，该浮置扩散区域形成在所述基板中，并且与所述第一转移栅极和所述第二转移栅极部分地交叠，其中，所述第一突起和所述第二突起彼此面对。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
