[发明专利]一种可集成的超势垒横向二极管器件

摘要

本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种可集成的超势垒横向二极管器件，本发明主要在于栅电极同时覆盖P型掺杂区和N‑型掺杂区，通过体效应，减小P型掺杂区表面反型所需电压，在N‑型掺杂区表面引入电子积累层，通过单载流子导电，本发明综合了PN结二极管和肖特基二极管的优点，相比于PN结二极管，本发明可以减小正向开启电压，提高二极管的反向恢复速度，相比于肖特基二极管，反向漏电更小且稳定，同时通过在N‑型掺杂区下方引入P+型重掺杂区进行辅助耗尽使得器件表面电场降低，将反向击穿点调至体内。

主权项

1.一种可集成的超势垒横向二极管器件，其特征在于：包括从下至上依次层叠设置的P+型衬底(1)、P型外延(2)、N型阱(3)、氧化层(10)，栅电极(11)，所述N型阱(3)中具有P型掺杂区(4)、P+型重掺杂区(5)、N‑型掺杂区(6)；所述P型掺杂区(4)内部左上方具有P+型重掺杂区(7)和N+型重掺杂区(8)；所述P+型重掺杂区(7)的右侧和N+型重掺杂区(8)的左侧相邻并接触；所述N‑型掺杂区(6)内部右上方具有N+型重掺杂区(9)；所述N‑型掺杂区(6)位于P+型重掺杂区(5)正上方并与P+型重掺杂区(5)的上表面接触，所述P+型重掺杂区(5)和N‑型掺杂区(6)的左侧与P型掺杂区(4)相接触；所述氧化层(10)的下表面与N型阱(3)上表面相接触，氧化层(10)的上表面与栅电极(11)的下表面接触，所述氧化层(10)和栅电极(11)的长度延伸至N+型重掺杂区(8)的右边界和N+型重掺杂区(9)的左边界；所述金属化阳极(12)的下表面与P+型重掺杂区(7)的上表面、N+型重掺杂区(8)的上表面都接触，所述金属化阳极(12)与氧化层(10)和栅电极(11)的左边界都接触，并向右延伸至完全覆盖栅电极(11)；所述金属化阴极(13)与N+型重掺杂区(9)的上表面接触。