[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201810812055.0 | 申请日： | 2018-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN109300908B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 郑光泳;金钟源;殷东锡;李俊熙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B43/27 | 分类号： | H10B43/27;H01L23/48;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了半导体器件。一种半导体器件包括衬底。该半导体器件包括包含堆叠在衬底上的导电层的堆叠结构。而且，该半导体器件包括穿透堆叠结构的台阶区域的虚设结构。虚设结构的一部分包括第一区段和第二区段。第一区段在平行于衬底的上表面的平面中沿第一方向延伸。第二区段在所述平面中沿交叉第一方向的第二方向从第一区段突出。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底；堆叠结构，其包括堆叠在所述衬底上的导电层；以及虚设结构，其穿透所述堆叠结构的台阶区域，其中所述虚设结构的一部分包括：第一区段，其在平行于所述衬底的上表面的平面中沿第一方向延伸；以及第二区段，其在所述平面中沿交叉所述第一方向的第二方向从所述第一区段突出。
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