[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

堆叠结构，其包括堆叠在所述衬底上的导电层；以及

虚设结构，其穿透所述堆叠结构的台阶区域，

其中所述虚设结构的上部部分包括：

第一区段，其在平行于所述衬底的上表面的第一平面中沿第一方向延伸；以及

第二区段，其在所述第一平面中沿交叉所述第一方向的第二方向从所述第一区段突出，

其中所述虚设结构的下部部分包括第二平面中的第一形状，所述第二平面平行于所述第一平面并且在所述第一平面与所述衬底之间，以及

其中所述第一形状不同于所述虚设结构的所述上部部分在所述第一平面中的第二形状。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述虚设结构的所述上部部分的所述第二形状包括L形状。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述虚设结构的所述下部部分在所述第二平面中沿交叉所述第一方向和所述第二方向的第三方向延伸。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述虚设结构的所述下部部分包括：

在所述第二平面中的椭圆形，该椭圆形包括在所述第三方向上延伸的主轴；或者

在所述第二平面中的条形，该条形沿所述第三方向延伸。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述虚设结构的所述上部部分包括所述第一区段和所述第二区段彼此连接的位置处的凹入区段。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述虚设结构的最下表面与所述衬底接触。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述衬底包括单元阵列区域和连接区域，

其中所述虚设结构包括在所述连接区域上的支撑结构，

其中所述半导体器件还包括在所述单元阵列区域上并穿透所述堆叠结构的垂直结构，以及

其中所述虚设结构的所述上部部分在所述第一平面中的所述第二形状包括与所述垂直结构在所述第一平面中的第三形状不同的形状、以及比所述第三形状的尺寸大的尺寸。

8.一种半导体器件，包括：

衬底，其包括单元阵列区域和连接区域；

堆叠结构，其包括堆叠在所述衬底上的多个导电层，所述多个导电层中的第一导电层包括垫区域，该垫区域在所述连接区域上相对于所述多个导电层中的覆于上方的第二导电层突出；

垂直结构，其在所述单元阵列区域上并且穿透所述堆叠结构的垂直存储区域；以及

支撑结构，其穿透所述垫区域，

其中，在水平剖面中，所述支撑结构的一部分包括向内弯曲区段。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，还包括电连接到所述垫区域的接触插塞。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述向内弯曲区段面向所述接触插塞。

11.根据权利要求8所述的半导体器件，

其中所述支撑结构的所述部分包括：

第一区段，其在所述水平剖面中沿第一方向延伸；以及

第二区段，其在所述水平剖面中沿第二方向从所述第一区段突出，所述第二方向交叉所述第一方向，以及

其中所述向内弯曲区段在所述第一区段和所述第二区段彼此连接的位置处。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，

其中所述支撑结构的所述部分包括虚设结构的上部部分，

其中所述虚设结构的下部部分在交叉所述第一方向和所述第二方向的第三方向上延伸。

13.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述支撑结构的最下表面与所述衬底接触。