[发明专利]制作集成电路装置的方法在审
| 申请号： | 201810811413.6 | 申请日： | 2018-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN110299291A | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 何俊德;张世郁;林大为;邱建智;梁明中 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 此处公开制作集成电路装置的方法的例子。在一实施例中，接收集成电路工件，其包括导电内连线结构。形成第一层间介电层于导电内连线结构上，并形成第二层间介电层于第一层间介电层上。形成硬遮罩于第二层间介电层上。蚀刻通孔凹陷穿过第一层间介电层、第二层间介电层、与硬遮罩，以露出导电内连线结构。蚀刻包含提供钝化剂以与遮罩的材料反应以降低对蚀刻所采用的蚀刻剂的敏感度。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 层间介电层 内连线结构 第一层 介电层 导电 遮罩 集成电路装置 钝化剂 敏感度 蚀刻剂 凹陷 通孔 制作 集成电路 穿过 | ||
【主权项】：
1.一种制作集成电路装置的方法，包括：接收一集成电路工件，其包括一导电内连线结构；形成一第一层间介电层于该导电内连线结构上；形成一第二层间介电层于该第一层间介电层上；形成一硬遮罩于该第二层间介电层上；以及蚀刻一通孔凹陷穿过该第一层间介电层、该第二层间介电层、与该硬遮罩，以露出该导电内连线结构，其中上述蚀刻包含提供一钝化剂以与该硬遮罩的材料反应，进而降低对该蚀刻所采用的蚀刻剂的敏感度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
