[发明专利]一种单晶硅太阳能电池用新型陷光结构的制备方法

摘要

本发明公开了一种单晶硅太阳能电池用新型陷光结构的制备方法。将硅片RCA方法清洗后，再热生长二氧化硅作为光刻掩膜，进行匀胶、光刻、显影、刻蚀得到微纳米柱状小孔织构。本发明所制备的晶硅太阳能电池表面微纳米织构不引入稀贵金属离子，成本低廉、不会引起电池表面复合降低电池转换效率，且微纳米织构结构均匀、工艺重复性可控性好，适用于工业化生产。

主权项

1.一种单晶硅太阳能电池用新型陷光结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)热生长二氧化硅，生成二氧化硅层；(2)对二氧化硅层进行匀胶操作，得到匀胶二氧化硅；(3)对匀胶二氧化硅前烘；(4)曝光、显影；(5)后烘定型；(6)刻蚀二氧化硅；(7)去光刻胶，清洗硅片；(8)刻蚀硅微纳米小孔织构。