[发明专利]一种高敏感度NO2气体传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201810809381.6 | 申请日： | 2018-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN109142467A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 董林玺;郑鹏荣;狄增峰 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12;B82Y15/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 杭州千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人： | 周希良 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高敏感度NO2气体传感器及其制备方法，所述制备方法包括：提供一锗基底；于锗基底的上表面形成一石墨烯层，并于石墨烯层的上表面生长锗量子点；于生长有锗量子点的石墨烯层上表面形成第一电极和第二电极，其中，第一电极和第二电极之间具有一沟道，且第一电极和第二电极沿沟道的中心呈对称分布；以及对裸露在外的锗量子点和石墨烯层进行刻蚀，以保留沟道处的锗量子点和石墨烯层，同时去除位于沟道以外的锗量子点和石墨烯层，实现于锗基底上制备高敏感度NO2气体传感器。通过本发明解决了传统NO2气体传感器存在选择性差的问题，同时提供了一种锗衬底上石墨烯制备高敏感度气体传感器的简单方法。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨烯层 气体传感器 锗量子点 制备 高敏感度 第二电极 第一电极 上表面 沟道 锗基 对称分布 生长 沟道处 石墨烯 衬底 刻蚀 去除 裸露 保留 | ||
【主权项】：
1.一种高敏感度NO2气体传感器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：步骤1）提供一锗基底；步骤2）于所述锗基底的上表面形成一石墨烯层，并于所述石墨烯层的上表面生长锗量子点；步骤3）于生长有锗量子点的石墨烯层上表面形成第一电极和第二电极，其中，所述第一电极和所述第二电极之间具有一沟道，且所述第一电极和所述第二电极沿所述沟道的中心呈对称分布；以及步骤4）对裸露在外的所述锗量子点和所述石墨烯层进行刻蚀，以保留所述沟道处的所述锗量子点和所述石墨烯层，同时去除位于所述沟道以外的所述锗量子点和所述石墨烯层，实现于所述锗基底上制备高敏感度NO2气体传感器。
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