[发明专利]一种抑制桥臂串扰的自举电源式SiC MOSFET驱动电路

摘要

本发明公开的一种抑制桥臂串扰的自举电源式SiC MOSFET驱动电路，包括供电电源模块PM1，供电电源模块PM1依次连接有自举供电电路、上桥臂高速隔离驱动芯片U1、上桥臂SiC MOSFET驱动电路及上桥臂SiC MOSFET开关管S1，供电电源模块PM1还依次连接有下桥臂高速隔离驱动芯片U2、下桥臂SiC MOSFET驱动电路及下桥臂SiC MOSFET开关管S2，S1和S2的中点桥臂连接负载，S1漏极连接半桥母线DC_BUS+，S2源极连接半桥母线DC_BUS‑；还包括有逻辑门电平转化电路UT1，UT1分别与U1和U2连接。

主权项

1.一种抑制桥臂串扰的自举电源式SiC MOSFET驱动电路，其特征在于，包括供电电源模块PM1，所述供电电源模块PM1依次连接有自举供电电路、上桥臂高速隔离驱动芯片U1、上桥臂SiC MOSFET驱动电路及上桥臂SiC MOSFET开关管S1，所述供电电源模块PM1还依次连接有下桥臂高速隔离驱动芯片U2、下桥臂SiC MOSFET驱动电路及下桥臂SiC MOSFET开关管S2，所述上桥臂SiC MOSFET开关管S1和下桥臂SiC MOSFET开关管S2的中点桥臂连接负载，所述上桥臂SiC MOSFET开关管S1漏极连接半桥母线DC_BUS+，所述下桥臂SiC MOSFET开关管S2源极连接半桥母线DC_BUS‑；还包括有逻辑门电平转化电路UT1，所述逻辑门电平转化电路UT1分别与上桥臂高速隔离驱动芯片U1和下桥臂高速隔离驱动芯片U2连接；所述供电电源模块PM1采用B2424S芯片，所述供电电源模块PM1的参考地为GND‑2；所述上桥臂SiC MOSFET驱动电路和下桥臂SiC MOSFET驱动电路结构相同。