[发明专利]具有增强层的OLED装置及其制造方法有效
申请号: | 201810794525.5 | 申请日: | 2015-07-24 |
公开(公告)号: | CN109037462B | 公开(公告)日: | 2020-09-04 |
发明(设计)人: | 尼古拉斯·J·汤普森;马克·A·巴尔多;迈克尔·S·韦弗;维诺德·M·梅农 | 申请(专利权)人: | 环球展览公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 李琳 |
地址: | 美国新*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及具有增强层的OLED装置及其制造方法。一种改进OLED的操作的方法包括通过提供增强层来最大化所述OLED的有机发射材料的激发态能量向所述增强层中的表面等离子极化激元的非辐射转移,所述增强层与所述有机发射层相距不超过阈值距离;和通过穿过出耦层散射所述表面等离子极化激元的能量从所述增强层发射光到自由空间中,所述出耦层经提供接近所述增强层但与所述有机发射层相对。 | ||
搜索关键词: | 具有 增强 oled 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种改进OLED的操作的方法,其中所述OLED包含包括有机发射材料的有机发射层,所述方法包含:通过提供增强层来最大化来自所述有机发射材料的激发态能量向所述增强层中的表面等离子极化激元的非辐射转移,所述增强层包含展现表面等离子共振的、非辐射地耦合到所述有机发射材料的且与所述有机发射层相距不超过阈值距离的等离子材料,其中所述有机发射材料归因于所述增强层的存在而具有总非辐射衰减速率常数和总辐射衰减速率常数,并且所述阈值距离是所述总非辐射衰减速率常数等于所述总辐射衰减速率常数之处;和通过将来自所述表面等离子极化激元的能量散射穿过出耦层从而从所述增强层发射光到自由空间中,所述出耦层被提供得以接近于所述增强层但与所述有机发射层相对。
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