[发明专利]低层数中远红外高反射的一维金属增强型膜系结构有效
| 申请号： | 201810775579.7 | 申请日： | 2018-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN108873111B | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 李享成;李康文;陈平安;朱伯铨 | 申请（专利权）人： | 武汉科技大学 |
| 主分类号： | G02B1/00 | 分类号： | G02B1/00;G02B5/08 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 张火春 |
| 地址： | 430081 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种低层数中远红外高反射的一维金属增强型膜系结构。其技术方案是：所述一维金属增强型膜系结构总层数为23层，能实现在3～5μm和8～14μm红外波段的反射率均介于95％与99.999％之间；所述一维金属增强型膜系结构是由三个一维λ/4周期性光子晶体结构和一个金属增强层结构复合构成，所述一维金属增强型膜系结构用下式表达为(AB) |
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| 搜索关键词： | 层数 红外 反射 金属 增强 型膜系 结构 | ||
【主权项】：
1.一种低层数中远红外高反射的一维金属增强型膜系结构，其特征在于所述一维金属增强型膜系结构总层数为23层，能实现在3～5μm和8～14μm红外波段的反射率均介于95％与99.999％之间；所述一维金属增强型膜系结构是由三个一维λ/4周期性光子晶体结构和一个金属增强层结构复合构成；所述一维金属增强型膜系结构用下式表达：(AB)3(CD)3(EF)4G1MG2；(AB)3表示第一个一维λ/4周期性光子晶体结构；其中：所述A表示Ge，厚度为561～597nm；所述B表示ZnS，厚度为1126～1171nm；(CD)3表示第二个一维λ/4周期性光子晶体结构；其中：所述C表示Ge，厚度为590～593nm；所述D表示ZnS，厚度为1152～1155nm；(EF)4表示第三个一维λ/4周期性光子晶体结构；其中：所述E表示Ge，厚度为194～195nm；所述F表示ZnS，厚度为380～383nm；G1MG2表示金属增强层结构；其中：所述G1表示Na3AlF6，厚度为210～260nm；所述M表示Ag、Au、Cu、Al、Pt中的一种，厚度为100～250nm；所述G2表示Na3AlF6，厚度为100～250nm。
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