[发明专利]一种钝化接触电极结构，其适用的太阳能电池及制作方法在审
| 申请号： | 201810770113.8 | 申请日： | 2018-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN108807565A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 李中天;姚宇;邓晓帆 | 申请（专利权）人： | 苏州太阳井新能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/20 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 215127 江苏省苏州市吴*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种钝化接触电极结构，其适用的太阳能电池及制作方法，所述的电极结构包括在晶硅衬底上沉积的掺杂半导体层，以及在掺杂半导体层上的铜电极；所述的掺杂半导体层为多晶硅，微晶硅或微晶硅碳合金中的任一种，厚度为5‑100nm。实施过程中，所适用的太阳能电池在晶硅衬底的背面或两面包括所述的钝化接触电极结构。本发明还给出了制作具有该钝化接触电极结构的太阳能电池的制作方法。本发明通过钝化了所有金属电极的接触，降低了光生载流子的表面复合效率，实现了更加彻底的钝化效果，同时，相比于现有的工艺方法，本发明方案不仅可实行量产，且使用电镀铜作为导电层来代替银，降低了电池生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 钝化 太阳能电池 接触电极 掺杂半导体层 制作 微晶硅 衬底 晶硅 光生载流子 表面复合 电池生产 电极结构 钝化效果 金属电极 导电层 电镀铜 多晶硅 碳合金 铜电极 沉积 量产 背面 | ||
【主权项】：
1.一种应用于太阳能电池的钝化接触电极结构，其特征在于：包括在晶硅衬底上沉积的掺杂半导体层，以及在掺杂半导体层上的铜电极；所述的掺杂半导体层为多晶硅，微晶硅或微晶硅碳合金中的任一种，厚度为5‑100nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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