[发明专利]集成电路芯片的静态电流供给电路有效
| 申请号： | 201810768719.8 | 申请日： | 2018-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN109144158B | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 廖伟男;胡展源;黄志森 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56;H03K17/042;H03K17/687 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成电路芯片的静态电流供给电路，包括：第一PMOS管，源极连接外部电源电压，漏极连接集成电路芯片的电源端，栅极连接控制电压；控制电压由控制电路提供；待机状态下，控制电路使控制电压为0V，第一PMOS管完全导通并提供待机静态电流；休眠状态下，控制电压设置为第一钳位电压，第一钳位电压的大小接近外部电源电压减第一PMOS管的阈值电压的值，使第一PMOS管保持导通并提供小于待机静态电流的休眠静态电流。本发明能降低静态电流且能提高电路的唤醒速度，能降低整体芯片的功耗和降低金属线电压降，能提高低压操作上的稳定性和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 芯片 静态 电流 供给 电路 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路芯片的静态电流供给电路，其特征在于，包括：第一PMOS管，所述第一PMOS管的源极连接外部电源电压，所述第一PMOS管的漏极连接所述集成电路芯片的电源端；所述第一PMOS管的栅极连接控制电压；所述控制电压由控制电路提供；在所述集成电路芯片为待机状态下，所述控制电路使所述控制电压为0V，所述第一PMOS管完全导通并提供待机静态电流；在所述集成电路芯片为休眠状态下，所述控制电路使所述控制电压设置为第一钳位电压，所述第一钳位电压的大小接近所述外部电源电压减所述第一PMOS管的阈值电压的值，使所述第一PMOS管保持导通并提供休眠静态电流，所述休眠静态电流小于所述待机静态电流；在所述集成电路芯片从休眠状态切换到待机状态时，所述第一PMOS管保持导通并使导通电流直接所述休眠静态电流上升到所述待机静态电流，用以增加唤醒速度。
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