[发明专利]利用写缓存优化存储设备性能有效
| 申请号： | 201810767761.8 | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN109164976B | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 孙清涛;殷雪冰 | 申请（专利权）人： | 北京忆恒创源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 北京卓特专利代理事务所(普通合伙) 11572 | 代理人： | 段旺 |
| 地址： | 100192 北京市海淀区西小口*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供利用写缓存优化存储设备性能。所提供的处理向NVM写入数据的写命令的方法，其中提供缓存单元，所述缓存单元包括第一部分和第二部分，该方法包括：接收第一写命令；响应于所述第一写命令对应的数据被写入缓存单元的第一部分，向主机发送指示第一写命令处理完成的第一消息。本申请公开的技术方案至少能够降低“小写”命令带来的延迟，提升处理效率。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 缓存 优化 存储 设备 性能 | ||
【主权项】：
1.一种处理写命令的方法，包括：接收写命令；如果所述写命令命中缓存单元，则向被命中的缓存单元中写入数据；如果所述写命令未命中缓存单元，则为所述写命令分配缓存单元。
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