[发明专利]GaN HEMT器件的制备方法在审
| 申请号： | 201810766959.4 | 申请日： | 2018-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN108962751A | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 罗卫军;张杰;魏珂;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN HEMT器件的制备方法，包括：提供衬底；在衬底上形成器件本体，所述器件本体按自下而上的顺序依次包括第一GaN层、AlGaN层、第二GaN层和介质层；在器件本体中形成栅极凹进，所述栅极凹进穿过介质层、第二GaN层并延伸至AlGaN层表面；对形成有栅极凹进的器件本体进行一次退火；将经一次退火的器件本体用氮气进行表面处理；在经表面处理的栅极凹进中形成金属栅极；对形成有金属栅极的器件进行二次退火。 | ||
| 搜索关键词： | 器件本体 凹进 金属栅极 一次退火 介质层 衬底 制备 氮气 二次退火 凹进的 穿过 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种GaN HEMT器件的制备方法，包括：提供衬底；在衬底上形成器件本体，所述器件本体按自下而上的顺序依次包括第一GaN层、AlGaN层、第二GaN层和介质层；在器件本体中形成栅极凹进，所述栅极凹进穿过介质层、第二GaN层并延伸至AlGaN层表面；对形成有栅极凹进的器件本体进行一次退火；将经一次退火的器件本体用氮气进行表面处理；在经表面处理的栅极凹进中形成金属栅极；对形成有金属栅极的器件进行二次退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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