[发明专利]量子点膜片及其制备方法和背光模组在审
| 申请号： | 201810766823.3 | 申请日： | 2018-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN109031777A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 马卜;程方亮;王允军 | 申请（专利权）人： | 苏州星烁纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/13357 | 分类号： | G02F1/13357;B32B27/08;B32B27/32;B32B27/36;B32B27/38;B32B27/40 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种量子点膜片及其制备方法和背光模组，该量子点膜片包括依次设置的第一阻隔层、第一量子点层、基底层、第二量子点层、第二阻隔层，第一量子点层包括均匀分散于聚合物材料中的第一量子点，第二量子点层包括均匀分散于聚合物材料的第二量子点，第一阻隔层承载第一量子点层，第二阻隔层承载所述第二量子点层。该量子点膜片，改变了现有技术的量子点膜片结构设计，避免了不同量子点混合造成的自吸收现象。该背光模组包括该量子点膜片。 | ||
| 搜索关键词： | 量子点 量子点层 膜片 阻隔层 背光模组 聚合物材料 制备 承载 膜片结构 依次设置 基底层 自吸收 | ||
【主权项】：
1.一种量子点膜片，其特征在于，包括依次设置的第一阻隔层、第一量子点层、基底层、第二量子点层、第二阻隔层，所述第一量子点层包括均匀分散于聚合物材料中的第一量子点，所述第二量子点层包括均匀分散于聚合物材料的第二量子点，所述第一阻隔层承载所述第一量子点层，所述第二阻隔层承载所述第二量子点层。
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