[发明专利]水热法生长磷氯铅矿单晶的方法有效
申请号: | 201810763846.9 | 申请日: | 2018-07-12 |
公开(公告)号: | CN108796600B | 公开(公告)日: | 2021-02-09 |
发明(设计)人: | 任孟德;童静芳;程煜;周海涛;何小玲;杨利;吴文渊;李东平;左艳彬;王金亮;张昌龙 | 申请(专利权)人: | 桂林百锐光电技术有限公司;中国有色桂林矿产地质研究院有限公司 |
主分类号: | C30B7/10 | 分类号: | C30B7/10;C30B29/10 |
代理公司: | 桂林市持衡专利商标事务所有限公司 45107 | 代理人: | 唐智芳 |
地址: | 541004 广西壮族自治区*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | 本发明公开了一种水热法生长磷氯铅矿单晶的方法,具体为:取铅源和磷酸二氢盐置于高温条件下烧结,得到陶瓷块,所得陶瓷块置于高压釜中,以氯离子浓度为1‑5mol/L的水溶性氯化物的水溶液作为矿化剂,采用温差水热法以生长得到磷氯铅矿单晶。本发明所述方法大大提高了晶体的生长速度,能够在较短时间内生长得到较大尺寸的磷氯铅矿单晶。 | ||
搜索关键词: | 水热法 生长 铅矿 方法 | ||
【主权项】:
1.水热法生长磷氯铅矿单晶的方法,其特征在于:取铅源和磷酸二氢盐置于高温条件下烧结,得到陶瓷块,所得陶瓷块置于高压釜中,以氯离子浓度为1‑5mol/L的水溶性氯化物的水溶液作为矿化剂,采用温差水热法以生长得到磷氯铅矿单晶。
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