[发明专利]水热法生长磷氯铅矿单晶的方法有效

专利信息
申请号: 201810763846.9 申请日: 2018-07-12
公开(公告)号: CN108796600B 公开(公告)日: 2021-02-09
发明(设计)人: 任孟德;童静芳;程煜;周海涛;何小玲;杨利;吴文渊;李东平;左艳彬;王金亮;张昌龙 申请(专利权)人: 桂林百锐光电技术有限公司;中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
主分类号: C30B7/10 分类号: C30B7/10;C30B29/10
代理公司: 桂林市持衡专利商标事务所有限公司 45107 代理人: 唐智芳
地址: 541004 广西壮族自治区*** 国省代码: 广西;45
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摘要: 发明公开了一种水热法生长磷氯铅矿单晶的方法,具体为:取铅源和磷酸二氢盐置于高温条件下烧结,得到陶瓷块,所得陶瓷块置于高压釜中,以氯离子浓度为1‑5mol/L的水溶性氯化物的水溶液作为矿化剂,采用温差水热法以生长得到磷氯铅矿单晶。本发明所述方法大大提高了晶体的生长速度,能够在较短时间内生长得到较大尺寸的磷氯铅矿单晶。
搜索关键词: 水热法 生长 铅矿 方法
【主权项】:
1.水热法生长磷氯铅矿单晶的方法,其特征在于:取铅源和磷酸二氢盐置于高温条件下烧结,得到陶瓷块,所得陶瓷块置于高压釜中,以氯离子浓度为1‑5mol/L的水溶性氯化物的水溶液作为矿化剂,采用温差水热法以生长得到磷氯铅矿单晶。
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