[发明专利]一种门极可关断晶闸管及其制造方法在审
| 申请号： | 201810756090.5 | 申请日： | 2018-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN108899358A | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 李思敏 | 申请（专利权）人： | 北京优捷敏半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/745;H01L21/332 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 张晶;郭佩兰 |
| 地址： | 100012 北京市朝*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种门极可关断晶闸管，在N型的硅衬底片的上表面有由复数个高掺杂浓度的上管N型发射区重复排列组成的多条条带，每条条带的四周环绕有上管P型浓基区汇流条，上管N型发射区的上面设有一阴极金属层，该上管N型发射区的下面有上管P型基区，该上管P型基区侧面连接上管P型浓基区或上管P型浓基区汇流条，该上管P型基区、上管P型浓基区和上管P型浓基区汇流条的下面有上管N型集电区，上管N型集电区的下面为下管P型发射区，下管P型发射区的下表面与阳极金属层相连，该硅衬底片的上方设有门极金属层。本发明的可关断晶闸管抗dI/dt和抗dV/dt的能力显著增强，击穿电压和电流容量具有宽广的适应范围。 | ||
| 搜索关键词： | 上管 浓基区 汇流条 门极可关断晶闸管 硅衬底片 下管 可关断晶闸管 门极金属层 阳极金属层 阴极金属层 侧面连接 电流容量 击穿电压 重复排列 高掺杂 上表面 下表面 复数 环绕 制造 | ||
【主权项】：
1.一种门极可关断晶闸管，在N型的高电阻率的硅衬底片的上表面有由复数个高掺杂浓度的上管N型发射区重复排列组成的多条条带，每条条带的四周环绕有上管P型浓基区汇流条，上管N型发射区的上面设有阴极金属层，该上管N型发射区的下面有上管P型基区，该上管P型基区侧面连接掺杂浓度比上管P型基区浓度高的上管P型浓基区或上管P型浓基区汇流条，该上管P型基区、上管P型浓基区和上管P型浓基区汇流条的下面有上管N型集电区，上管N型集电区的下面为下管P型发射区，下管P型发射区位于硅衬底片的底层，下管P型发射区的下表面与阳极金属层相连，该硅衬底片的上方设有门极金属层，其特征在于：所述上管P型浓基区与上管P型浓基区汇流条相交或平行；所述上管P型浓基区汇流条上表面与门极金属层相连接；所述条带内相邻上管N型发射区之间的重复间距在50μm以内；所述门极可关断晶闸管的管芯为方形管芯。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京优捷敏半导体技术有限公司，未经北京优捷敏半导体技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810756090.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
