[发明专利]一种利用半导体激光器诱导聚酰亚胺表面碳化制备纳米高比表面积碳颗粒的方法有效

专利信息
申请号: 201810748206.0 申请日: 2018-07-10
公开(公告)号: CN108821262B 公开(公告)日: 2022-02-11
发明(设计)人: 吴盾;刘春林;成俊峰;王强;曹峥;梁红伟 申请(专利权)人: 常州大学
主分类号: C01B32/15 分类号: C01B32/15;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) 32258 代理人: 王美华
地址: 213164 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种利用半导体激光器诱导聚酰亚胺表面碳化制备纳米高比表面积碳颗粒的方法。该制备方法是以聚酰亚胺为原料,通过半导体激光器对其表面进行诱导扫描处理,从而制得纳米高比表面积碳颗粒材料。本发明工艺简单,反应条件温和,所采用的原料廉价易得,所制备的纳米多孔碳颗粒材料具有比表面积大、石墨化程度高、氧含量少等特点,是一种有望应用于吸附、催化、导电、导热等领域的新型材料。
搜索关键词: 一种 利用 半导体激光器 诱导 聚酰亚胺 表面 碳化 制备 纳米 表面积 颗粒 方法
【主权项】:
1.一种利用半导体激光器诱导聚酰亚胺表面碳化制备纳米高比表面积碳颗粒的方法;其特征在于:所述方法具体制备步骤为:1)先将添加阻燃剂的聚酰亚胺制备成具有表面平整结构的膜或板材;用水或乙醇清洗,除去污染物,然后干燥;2)直接使用半导体激光器激光对材料表面进行辐照扫描,在聚酰亚胺上完成激光诱导碳化制备纳米多孔碳颗粒。
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