[发明专利]一种顶发射式微腔OLED显示装置有效
| 申请号： | 201810747676.5 | 申请日： | 2018-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN110164911B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 夏婉婉;顾铁;钱栋;刘波 | 申请（专利权）人： | 合肥视涯技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司： | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人： | 黄海霞 |
| 地址： | 230012 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种顶发射式微腔OLED显示装置，包括阵列基板；设置在阵列基板上的反射金属层；设置在反射金属层上的阳极调制层，所述阳极调制层为半透明导电材料；设置在所述阳极调制层上的有机发光层，所述有机发光层未图案化；设置在所述有机发光层上的阴极层；所述顶发射式微腔OLED显示装置包括多个子像素，所述阳极调制层分为多个阳极调制电极以对应所述多个子像素；所述多个子像素至少分为第一种子像素、第二种子像素和第三种子像素，所述第一种子像素、第二种子像素和第三种子像素显示不同颜色，并且所述第一种子像素、第二种子像素和第三种子像素所对应的阳极调制电极的厚度不同。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发射 式微 oled 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种顶发射式微腔OLED显示装置，其特征在于， 包括：阵列基板、设置在所述阵列基板上的反射金属层、设置在所述反射金属层上的阳极调制层、设置在所述阳极调制层上的有机发光层、设置在所述有机发光层上的阴极层；所述有机发光层未图案化，所述阳极调制层为半透明导电材料；所述顶发射式微腔OLED显示装置包括多个子像素，所述阳极调制层分为多个阳极调制电极以对应所述多个子像素；所述多个子像素至少分为第一种子像素、第二种子像素和第三种子像素，所述第一种子像素、第二种子像素和第三种子像素显示不同颜色，并且所述第一种子像素、第二种子像素和第三种子像素所对应的阳极调制电极的厚度不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
